英国的研究人员已经公布了全半导体室温太赫兹时域光谱仪。该小组认为，这是第一个使用全半导体结构的光谱仪，相比于传统的基于超激光的设计，它有着节约成本和规模小的优势。

　　南安普敦大学的VasileiosApostolopoulos在optics.org提到：'传统的太赫兹时域光谱仪是基于钛蓝宝石激光器的基础上设计的，它虽然具有优良的性能，但成本昂贵和规模较大。目前我们使用的是由南安普敦的AnneTropper研究小组开发的一种微型半导体激光源，它有非常高的重复率，并在未来的一两年内，可能会产生低于200飞秒的脉冲。'

　　通过全半导体的方法，研究小组开始制造垂直外腔表面发射激光器（VECSEL），其在波长为1044纳米时可以发射480飞秒的脉冲。腔体包括一个光学斯塔克半导体可饱和吸收镜（SESAM），它是作为锁模元件。

　　垂直外腔表面发射激光器（VECSEL）用于传统的时域光谱设置，它可以照亮一组光敏天线。Apostolopoulos和他的同事们报告说，他们可以检测到超过带宽0.1至0.8THz的辐射，并有充分确定水吸收谱线的方案。